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导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全...
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MOSFET栅极前面加100Ω电阻是为了限制瞬态电流和高频噪声，避免损害MOSFET和其他电路。该电阻可以限制栅极电流，同时提高栅极的稳态电压。通常，栅极驱动IC的推荐电阻值为100Ω至1kΩ，具体取值要根据应用场景和IC手册来确定。如果电...
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2MHZ以上的需要用图腾柱驱动或者专用驱动芯片IR2013 ，MOS管一定要选结电容小的高速MOS管，否则无法达到这么高的频率。...
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1. MOSFET驱动电流取决于具体的应用和设计要求。2. 驱动电流的大小主要由MOSFET的负载特性、工作频率、输入信号的幅值和驱动电路的设计等因素决定。一般来说，驱动电流需要足够大以确保MOSFET能够快速开关和关闭，同时也要避免过大的...
