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cpu的制程工艺，从14nm起，进展变得非常缓慢，摩尔定律已经失效了。因为电子隧道效应的存在，公认的晶体管制程极限是5nm。根据量子力学计算，硅芯片中线宽低于10nm左右的时候，因此目前预计可能的线宽极限是1~10nm，不会低于一纳米。...
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国际芯片能做到3nm芯片工艺到5nm已经是非常大的突破了，全球范围内有能力制造10nm以下的芯片，只有台积电和三星。二者都完成了更先进的5nm量产技术，同时台积电进展很顺利，2022年下半年就能量产3nm。而三星也发布了3nm的芯片制造技术...
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光刻机极限大约1nm。光刻机目前最高工艺制程可量产为4nm，作为全球两大代工巨头台积电和三星的技术上均可以达到3nm，工厂也在筹备中。目前已经接近极限，因为nm这个单位的长度大约就是4个硅原子的长度，而作为更小制程技术的GAA架构新硅晶体管...
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目前，0.9纳米芯片是技术的极限之一。随着技术的不断发展，人们正在努力研发更小尺寸的芯片。然而，要克服的一些技术困难，如量子效应、热效应和电子隧道效应等，使得在更小尺寸的芯片上获得稳定的性能变得更加困难。因此，一些专家认为，实现比0.9纳米...
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最顶端的芯片通常是指最先进的半导体芯片技术，目前最先进的制程技术是7纳米（nm）。在这个制程下，芯片上的晶体管和其他元件可以被制造得更小，从而提高性能和降低功耗。而随着技术的进步，未来可能会出现更先进的制程技术，比如5纳米、3纳米甚至1纳米...
