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中国的国产芯片目前能够达到90纳米的工艺水平。在芯片制造的关键环节中，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占据了重要比重。特别是光刻机设备，目前上海微电子企业已能提供90纳米级别的产品。然而，在高端的KrF和ArF光刻胶领域，国内产品的自给率几乎为零，严重依赖进口。
华为目前能够生产3纳米级别的芯片。 华为的芯片制造技术已经达到几纳米级别，并且正在研发2纳米技术的芯片。 华为在移动设备、云计算和人工智能等领域拥有强大的竞争力，这得益于其在芯片制造方面的先进技术和制造能力。 华为自研的麒麟芯片在智能手机市场上已经获得了广泛的认可。
目前大陆能够量产的最先进制程的芯片是14nm。2019年第四季度，中芯国际就表示14nm已投入量产。2021年时传出消息，中芯国际14nm的良率达到95%，已经追平台积电（目前7nm也已小规模投产）。2020年，华虹宣布工艺达到14nm，不过当时的良率并不高。至于现在良率具体提升到了多少，还并没有确切的消息。
根据目前的数据显示，中国的芯片仅仅能够达到14纳米，但是美国在芯片制造上能够达到五纳米，这种数量上的优势都意味着他们的发展更为强劲，但即使是这样美国却并没有想要放过中国，甚至在一些运用发展上还一直在对中国有所限制，由此可见中国芯片与国外的芯片差距较远。
中国的光刻机技术已经取得了显著进步，目前能够实现22纳米的制造精度。 在上海微电子装备公司取得技术突破之前，中国国产光刻机的主要制造能力停留在90纳米级别。 此次从90纳米直接跃升至22纳米的技术进步，表明中国在光刻机制造的关键核心技术上已经实现了自主可控。
纳米。根据查询工业网得知，国产光刻机最大分辨率为90纳米，波长193纳米。国产光刻机的最先进型号，是来自上海微电子的SSA60020。
作为目前全球光刻技术的主要开发者，中国的光刻机发展一直备受瞩目。过去，中国的光刻机只能达到50纳米的生产精度，然而近年来，把握机遇，大力发展技术，中国光刻机顺利实现了25纳米和18纳米的生产精度，成功将产业链推向更高层面。而如今光刻机打破7纳米这一生产极限，是产业竞争最新的战略制高点。
纳米。根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米（nm）光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。
smee光刻机22纳米。光刻机（lithography）又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。
中国的国产芯片目前能够达到90纳米的工艺水平。在芯片制造的关键环节中，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占据了重要比重。特别是光刻机设备，目前上海微电子企业已能提供90纳米级别的产品。然而，在高端的KrF和ArF光刻胶领域，国内产品的自给率几乎为零，严重依赖进口。
中国的芯片制造技术目前能够达到14纳米级别。面对国内芯片发展的挑战，除了外部环境的挑战和美国的持续制裁，限制了关键技术和产业的获取，中国芯片产业还在努力通过劳动密集型方式提升自身能力。尽管已经取得进步，但与国际先进水平相比，仍有较大差距。
根据目前的数据显示，中国的芯片仅仅能够达到14纳米，但是美国在芯片制造上能够达到五纳米，这种数量上的优势都意味着他们的发展更为强劲，但即使是这样美国却并没有想要放过中国，甚至在一些运用发展上还一直在对中国有所限制，由此可见中国芯片与国外的芯片差距较远。
国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口，其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此，我国要生产高度国产化的芯片，目前90纳米是一个分界点。
文章进一步指出：“在去年三季度，该工厂第一代14纳米FinFET工艺已成功量产。按规划达产后，中芯南方厂将建成两条月产能均为5万片的集成电路先进生产线。12纳米技术也已开始客户导入，下一代技术的研发也稳步开展。新生产线将助力未来5G、物联网、车用电子等新兴应用的发展。
量产的14nm工艺已经可以满足国内95%的芯片生产，根据之前的消息，中芯国际的14nm产能年底将达到15K晶圆/月，之后就不会大幅增长了，重点会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺。
联合CEO梁孟松强调，14nm工艺的量产良率已达到行业标准，但与国际一流企业相比仍有提升空间。中芯国际正与国内外客户合作推进十多个先进工艺项目，包括14nm及更先进技术，表明公司在技术研发方面取得了显著进展。
来自快 科技 消息：中芯国际12nm工艺制程已开始客户导入。相对于14nm工艺，12nm工艺功耗降低20％、性能提升10％。并且蒋尚义博士的加入和梁孟松博士团队的攻克下，中芯国际的下一代工艺研发也已稳步开展，或将进入7nm工艺阶段…另外上海华虹集团日前透露其14nm FinFET工艺也全线贯通，良率已达25%。
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