扫码或点击进入无线充模块店铺
硅（Si）比GaAs好，有三个主要理由。
第一，硅（Si）制程是大量生产且便宜的制程。且硅（Si）有较好的物理应力，所以可做成大尺寸的
晶圆
（现今，Si晶圆直径约为300 mm，而GaAs晶圆最大直径约只有150 mm）。在地球表面上有大量硅（Si）的原料：硅酸盐
矿。硅工业已发展到规模经济（透过高的产能以降低单位产品的成本）的情形了，更降低了工业界使用GaAs的意愿。第二个主要的优点是，硅（Si）很容易就会变成
二氧化硅
（在电子元件中，这是一种很好的绝缘体
）。二氧化硅可以轻易地被整合到硅（Si）电路中，且二氧化硅和硅（Si）拥有很好的界面特性。反观，GaAs不能产生一层稳定且附着在GaAs上的绝缘层。第三，大概也是最重要的优点，是硅（Si）拥有高很多的
空穴
移动率。在需要CMOS
逻辑时，高的空穴率可以做成高速的P-沟道场效应晶体管
。如果需要快速的CMOS结构时，虽然GaAs的电子迁移率快，但因为它的功率消耗高，所以使的GaAs电路无法被整合到Si逻辑电路中。直接搬一段wiki:砷化鎵
原料是硅
硅是集成电路生产中最重要的原材料，硅片市场约占整个半导体材料市场的三分之一。目前，90%以上的集成电路芯片是用硅片作为衬底制造出来的，硅是集成电路的承载基础。
扫码或点击进入无线充模块店铺