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两者的光线集中度不同，射程也不同：LED灯珠的角度做的非常小，属于光线比较集中，射程的很远，但是照射范围有限；而LED贴片的一般角度做的都很大，属于光线比较散乱，照射范围广，但是射程比较近。采用的发光方式不同：LED灯珠是采用放电放光，而LED贴片采用於冷性发光。
当然是灯珠的好，灯珠的是各自封装成片，对散热及光线均匀性都有好处，而且光衰更慢，更加耐用，cob直接用芯片直接封装的，封装方式更简便，价格上也就相对更便宜，但质量上比不上用灯珠的。
质量好的LED灯采用的进口芯片，镇流器有IC电流保护，加厚铝合金外壳散热，亮度高，散热好，寿命长灯特点。LED灯泡是由数个到几十个小功率（约0.06W）LED芯片或小灯珠组合的，有一个类似传统灯泡的外壳结构，使用方面比较简单。一般作为浴室、走道、夜灯等亮度不需要太高又需要长时间点亮的地方。
LED灯珠。大功率LED灯一般采用1W大功率LED灯珠，1-3W共存大功率LED灯珠，COB大功率这几种。大功率灯珠单颗LED功率最大可以做到200W以上。
它的工作原理是将输入的电流转换成适合LED灯工作的电流和电压。具体来说，LED驱动芯片通常由两个部分组成：电源部分和控制部分。电源部分负责将输入的电压转换成适合LED灯工作的电压和电流，而控制部分则负责根据需要调整电流的大小以控制LED灯的亮度。
其工作原理是利用电路内部的控制电路控制输出电流的大小，从而使LED灯产生不同亮度的输出。LED驱动芯片的电路设计一般由以下几个部分组成：输入电压控制：该部分负责稳定输入电压，并保证驱动芯片能够正常工作。控制电路：该部分负责控制LED灯的亮度，并且可以根据需求调整输出电流的大小。
led驱动ic的工作原理：芯片内含恒流产生电路，可透过外挂电阻来设定输出恒流值。透过芯片的使能端可以控制输出通道的开关时间，切换频率最高达一兆赫（1mhz）。电流输出反应极快，支持高色阶变化及高画面刷新率的应用。内建开路侦测，过热断电，及过电流保护功能，使应用系统的可靠性大为提升。
led驱动器原理LED（LightEmittingDiode）驱动器是一种用来驱动LED的电子电路。LED是一种发光二极管，需要恰当的电流和电压才能正常工作。LED驱动器的作用是提供LED所需的电流和电压，以保证LED的正常工作。LED驱动器通常由以下组件组成：输入电压调节电路：这一部分的作用是将电源电压调节为LED所需的电压。
LED灯驱动器的原理是通过控制电流来控制LED的亮度。LED需要一个稳定的电流来维持其亮度，而不是通过调整电压来控制亮度。因此，驱动器通过调整电流来控制LED的亮度。这可以通过使用电流限制元件如电阻或电流源来实现。
1、LED芯片种类LPE：LiquidPhaseEpitaxy（液相磊晶法）GaP/GaP。VPE：VaporPhaseEpitaxy（气相磊晶法）GaAsP/GaAs。
2、LED灯具采用低压供电，这种情况，一般的芯片都行了，关键不在于芯片，在于灯具的散热设计和恒流电源的质量。芯片采用的供电电压一般都是直流低压的，恒定电流的电器很关键，如果恒流电源质量没问题，再测试下灯具的温度，解决好散热，其他都没问题了。但最好不要采用DC12V的输入电压，线路板特不好设计。
3、LED芯片普瑞的特点是功率集成芯片，一般都是用在泛光灯上，在面光源领域非常有优势。LED芯片科瑞的特点是点光源，品牌影响力大，流明，显指等平均表现很好。
4、LED（LightEmittingDiode，发光二极管）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
5、LED显示屏驱动芯片种类有哪些LED驱动芯片可分为通用芯片和专用芯片两种。所谓的通用芯片，其芯片本身并非专门为LED而设计，而是一些具有LED显示屏部分逻辑功能的逻辑芯片（如串-并移位寄存器）。而专用芯片是指按照LED发光特性而设计专门用于LED显示屏的驱动芯片。
6、信赖性优良。（3）应用广泛。（4）安全性高。（5）寿命长。如何评判：led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。
而芯片指的是把外延进行加工，其主要目的是在外延上加上电极，以便与封装和应用。芯片的主要材料为单晶硅不正确，仍为GaN材料。可以说外延是芯片的原材料，芯片就是在外延的基础上增加了电极（有的芯片还做钝化膜，反射镜等等）。
上支架－点底胶－放芯片－烘烤固晶－金丝键合－点荧光胶－外壳灌封－测试－光色分选－包装（大功率LED）。
LED芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
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