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可持续发展 在全球范围内，对电子产品和芯片的需求不断增长。1nm芯片的出现，有望通过提高能源效率和降低环境影响，为可持续发展目标做出贡献。更小尺寸的芯片可能意味着更低的能耗和更强的性能，从而支持绿色技术的进步。
据悉，采用1nm工艺的芯片将使得手机续航能力显著提升，达到惊人的两周。 在今年上半年，三星和IBM已经联合宣布成功研发2nm工艺的芯片。
提高计算速度和能效：由于1纳米芯片的尺寸非常小，电子在移动时需要克服更大的阻力，因此它们的速度更快。此外，由于1纳米芯片的功耗更低，因此可以提高计算机的能效。
1、美国计算机芯片业的最新突破是1纳米芯片。据多家媒体报道，美国研究人员成功开发了一种新型的制造技术，使芯片制造成本大大降低，在更小的芯片上添加更多的晶体管，实现了更大的计算能力。
2、这次1nm芯片技术的突破，不仅代表了技术进步，同时也蕴含了巨大的商业价值。更小尺寸的芯片能够容纳更多的晶体管，从而显著提高计算机的运行速度和存储容量。
3、nm芯片不是极限。1nm就是摩尔极限，也就是说，硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm，但由于自然环境的限制，其实际精度永远不可能达到1nm。制程越小，功耗越小，在实现相同功能的情况下，发热小，电池可使用的时间更长。
4、技术创新 芯片制程突破1nm意味着目前制程的技术已经到达了一个新的高度。这一突破性进展为技术创新提供了一个新的平台。可持续发展 随着世界经济和社会的发展，对芯片等电子产品的需求量逐渐增加。
1nm工艺被视为技术进步的新里程碑，目前IBM和三星在1nm技术上取得重要进展，预计将很快实现突破。 据悉，采用1nm工艺的芯片将使得手机续航能力显著提升，达到惊人的两周。
根据IBM及三星的说法，VTFET技术有2个优点，一个是可以绕过现在技术的诸多性能限制，进一步扩展摩尔定律，另一个就是性能大幅提升，采用VTFET技术的芯片速度可提升两倍，或者降低85%的功耗。
目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺，根据最新消息称，三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破，搭载此芯片的手机续航可达2周。
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