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虽然麒麟9000S与苹果A14都由台积电代加工，且同为5nm制程工艺，但从性能上看，麒麟9000S并不逊色于苹果A14。在Geekbench 5跑分测试中，麒麟9000S的单核跑分甚至超过了苹果A13，多核分数也与A13不相上下。
华为海思旗下的麒麟9000处理器只能相当于苹果A14。这只是从性能来讲的，麒麟9000与苹果A14都是台积电代加工的芯片，同属于5nm制程工艺。
麒麟9000s参数比麒麟9000好一点。麒麟9000s的CPU性能提升巨大，几乎反超了苹果A14。在Geekbench5测试中，麒麟9000s的成绩是单核1273，多核4324。
实事求是的讲，华为海思旗下的麒麟9000处理器只能相当于苹果A13，并且性能上还是要稍差一些。当然这只是从性能来讲的，麒麟9000与苹果A14都是台积电代加工的芯片，同属于5nm制程工艺。
麒麟是业界领先的智能手机芯片解决方案，拥有华为海思先进的SoC架构和领先的生产技术。麒麟芯片主要高端旗舰型号包括麒麟9000s、麒麟9000芯片、麒麟9000E芯片、麒麟990 5G芯片、麒麟990芯片等。
麒麟9000S在市场上处于中上水平。麒麟9000S处理器确认采用了超线程设计，为8核12线程，测试工具已经适配。
尽管与国际同行相比，华为的麒麟芯片在某些方面可能还存在差距，但华为的持续研发和创新表明，其赶超的可能性不容小觑。
但是， 事实是中国在国防技术相关的商业航空器、半导体、生物机器、特种化工和系统软件等核心技术领域，和美国差距在10年以上。 找点例子，大家感受一下。 来点手机行业的例子感受一下。
综上所述，个人认为，大陆半导体追上台积电可能需要十年以上的时间。
1、国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口，其中ArF光刻胶几乎为零国产。
2、中国芯片的制造工艺水平目前，中国芯片的制造工艺水平已经达到了14纳米，这一水平可以满足大多数应用场景的需求。而在未来，中国芯片的制造工艺将会进一步提升，预计到2025年，中国芯片的制造工艺将达到7纳米。
3、中国国产芯片能达到90纳米。国产芯片水平只能实现90纳米。从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。
4、中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前并兆盯，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。
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