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王占国院士于1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，是世界著名的半导体材料物理学家。
王院士1962年毕业于南开大学物理系，并于同年到中国科学院半导体研究所工作至今。
王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。
在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大学固体物理系，从事深能级物理和光谱物理研究。他和合作者一起提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法，从而解决了长期处于争论中的硅中金受主及金施主能级以及砷化镓中A、B能级性质的问题。
王院士还建立了一种混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型。
他协助林兰英院士首次在太空环境成功生长了砷化镓单晶，1993年提出了砷化镓电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，不仅解释了砷化镓的电导率问题，而且为提高砷化镓晶体质量指出了方向。
从1993年开始，王院士及其团队致力于半导体低维结构的生长和量子器件制备，研制成功量子级联激光器、量子点激光器、量子点超辐射发光管等。
他后来提出的柔性衬底的概念为发展大晶格失配的异质外延指出了新的方向。
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