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IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET)简称场效应管。
等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到,MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
mos管型号如下:增强型mos管:采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管:其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS,有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS,NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可,UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动,可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了,30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。
1、电压规格:包括VDSS、VDS、BVDSS和V(BR)DSS,后者侧重电路应用。 电流参数:ID、IDM,关注脉冲电流能力。 温度限制:如TJ、TSTG,保证器件性能和寿命。 能量相关:如PD、EAS,反映器件的过载能力。
2、这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
3、VGS(最大栅源电压): 限制栅极电压以防器件过载,过高可能导致击穿。Tj(最大工作结温): 温度过高可能影响性能,设计时需留出余地。TSTG(存储温度范围): 确保器件在不同环境条件下的长期稳定性。
4、MOSFET模块简称MOS模块,一般采用SOT-227封装,海飞乐技术封装碳化硅MOS管,SIC MOS模块,包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点:开关速度快,安全工作区宽,热稳定性好,线性控制能力强,电压控制。
5、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
1、驱动芯片的选择准则 当挑选驱动芯片时,技术参数是决定性的。
2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
3、很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
4、一个是需要关注MOS管的最大驱动能力,也就是最大电流值。MOS管的耐压值,另外一个就是封装,主要是考虑散热问题。
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