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七纳米和八纳米芯片的差别：沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。沟道长度不同三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。
applewatchse和8的区别有：屏幕不同、材质不同、健康功能不同、续航不同、显示不同等。屏幕不同S8拥有更大的屏幕区域，采用全面屏设计和更窄的边框，显示效果更出色。此外，S8支持屏幕常亮功能，而SE不支持。
在芯片之中，有非常多的晶体管，而每一个晶体管的宽度也就会用5nm这样的方式表达出来，宽度越小，同样面积的芯片承载晶体管也就越多，代表着技术越先进。通俗的来说，5纳米相当于头发的万分之一。
芯片体积变小，成本降低，功耗降低，而1nm=0.0000001cm，5纳米就是0.0000005cm，可想而知对于5nm我们根本无法辨别。可以这样说，技术精密等级可以用纳米来形容。
纳米和7纳米的主要区别在于晶体管密度。前者每平方毫米晶体管数量超过7亿，比7nm高出80%。生硬的数字让人难以理解。简单来说，7nm可以容纳三个G76核心，现在可以容纳五个。另一个改进是性能和功耗的优化。
在同样性能上5纳米芯片能耗上可降低30％左右，在同能耗下5纳米芯片比7纳米芯片性能上提升15％左右。
纳米芯片相比7纳米芯片的工艺技术要求更高、更好更低、性能更好。芯片工艺中5nm和7nm的两个数值，代表的是芯片晶体管导电沟道的长度。
而7纳米的芯片，可容纳更多晶体管，计算能力更强。二者相比，5纳米芯片晶体管更好。5纳米芯片制造更小巧的设备更低的能耗，使用寿命更长更稳定可靠，更少出现故障。而7纳米的芯片体积更小，功耗更低，发热更少。
纳米芯片和7纳米的芯片虽然听上去感觉没有差很多，但是纳米这个单位非常的小，没缩小1纳米就会有更多的空间来进行设计和编写更多的程序，所以这也是为什么要不断研发更小的芯片。
我们一般说的芯片14nm、10nm、7nm、5nm，指的是芯片的制程工艺，也就是处理内CPU和GPU表面晶体管门电路的尺寸。
1、纳米的意思是制造工艺指制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm）。14纳米跟22纳米的区别：区别不一样的制造工艺。制造工艺，代度表集成电路规模。
2、纳米制程比之22纳米可以在同样面积的硅圆晶片集成更多的元件，可以降低成本，可以让工作电压更低，可以降低发热，提升频率。
3、代表集成电路规模。同等芯片面积下，用14纳米的工艺刻画的电路自然是比用22纳米要更多更复杂。所以这个指标代表了制造工艺先进程度，以及芯片的集成电路集成程度，和性能没什么直接关系。
芯片的纳米数是指芯片制造工艺中所使用的纳米级别的尺寸。它表示芯片上的最小线宽或最小特征尺寸。以下是对芯片纳米数的解释： 纳米数：纳米（nanometer）是长度单位，表示十亿分之一米（1纳米=1/1，000，000，000米）。
芯片的纳米数指制造芯片的制程，或指晶体管电路的尺寸，单位为纳米（nm）。
芯片的纳米数是制造芯片的制程，或指晶体管电路的尺寸，单位为纳米（daonm）。闪存芯片是快闪存储器（闪存）的主要部件，主要分为NOR型和NAND型两大类。
芯片的纳米数，其实就是它的制造工艺或晶体管电路的大小。这个单位是纳米（nm），属于长度单位。在处理器中，它代表晶体管之间的距离，也就是间距。芯片的纳米数越小，意味着在相同面积上能集成更多的晶体管。
指制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm）。1微米=1000纳米，1纳米（nm）为10亿分之1米。
CPU的纳米是指芯片上晶体管的尺寸大小，也是衡量芯片制造精度的指标。纳米的单位是纳米米，即十亿分之一米。
尺寸：7纳米制程相比10纳米制程更为先进，晶体管的尺寸更小。这意味着在同样的芯片面积上可以容纳更多的晶体管，从而提供更高的集成度和更强的处理性能。 功耗：7纳米制程相比10纳米制程能够提供更高的性能与效能。
功耗不同，7nm的技术和10nm的技术，在塞下同等数量晶体管的情况下，7nm的体积会更小。而体积大的10nm，就会因为工艺的问题，导致原件的电容比较大，需要的电压相较于7nm就更高，从而导致整体功耗变得更高。芯片性能方面。
· 10nm比7nm提升更大。10nm7nm。2）· NM 即纳米，1米的10负9次方，符号为nm。
芯片7nm，10nm指的是采用7nm，10nm制程的一种芯片，nm是单位纳米的简称。目前，制造芯片的原材料以硅为主。不过，硅的物理特性限制了芯片的发展空间。2015年4月，英特尔宣布，在达到7nm工艺之后将不再使用硅材料。
荣耀9X搭载7nm工艺制程的麒麟810旗舰级芯片，作为全球仅有的四颗商用7nm手机芯片之一，麒麟810的7nm工艺相比10nm，能效提升28%、晶体密度提升64%。而相比8nm工艺，7nm的能效提升20%，晶体管密度提升50%。
Intel：10nm节点，已经达到了06亿/mmSamsung：7nm节点，为0.95亿/mmTSMC：7nm节点，为0.97亿/mm由此可以看出，Intel10nm和三星、台积电等广商的7nm工艺制程属于同一水平。
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