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在模拟电子技术（模拟电路）中，"UT"通常指的是晶体管的饱和电压，也就是晶体管从饱和状态到截止状态的电压变化范围。这个参数对于晶体管的工作状态和性能有重要影响。
简单来说，UT是晶体管在正常工作时，集电极与发射极之间的电压差，它决定了晶体管的开关特性和放大能力。在不同的晶体管类型和制造工艺中，UT的值会有所不同，但通常在几伏特的范围内。了解和控制UT对于设计和分析模拟电路至关重要。
UT一般情况下指的是基准电压（Threshold Voltage），是由场效应晶体管（FET）的源极与漏极之间的电压差决定的，当这个电压差低于基准电压时，FET处于截止区；高于基准电压时，FET处于线性区或饱和区。在CMOS集成电路中，基准电压通常被设计为逻辑电路中低电平和高电平之间的中点，以区分逻辑0和逻辑1。
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