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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
GBT三脚的符号分别是 ：G 极（相当于三极管的基极）、E极（相当于普通三极管的发射极）、C 极（三极管的集电极）。 扩展资料
从电路原理图上寻找IGBT 并不困难，但前提是我们所看到的电路原理图是规范的。然而，IGBT的电路原理图符号至今并末统一，甚至有些IGBT会借用BJT和VMOS(功率场效应管)的符号，这时候就只能从型号来判断了。好在我们已经进入了互联 网时代，从型号查到技术文档并不是难事。
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