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IGBT的主要优点有：
① IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
③ 较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。
④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
⑤ 与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。
⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n+层），这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用，则还可进一步减小器件的导通电阻。
IGBT也具有若干重大的的缺点：
① 因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。
② IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。
igbt高频优点：
1、体积小、重量轻
以12V/5kA的整流电源为例，第一代三相调压器占地面积为5平方米，重量高达几千斤。第二代三相晶闸管电源重量约400千克。而相比较下IGBT高频开关电源不仅体积小且重量轻， 其中重量只有50千克。
2、能耗小
第一代和第二代整流电源均有涡流损耗，尤其是第一代整流电源的效率还不到70%，而IGBT高频开关电源高达90%以上。
3、效率高
同普通整流电源相比，IGBT高频开关电源输出的是高频脉冲电流，因此其不仅镀层紧密、加工效率高，而且外形美观、光泽性好。
igbt高频缺点：
1.IGBT不仅价格昂贵。
2.易损坏，一旦机器停工那么企业将会面临更大的经济损失。过压损坏、过流损坏或者过热损坏。不常见的损坏原因有因IGBT驱动不良而损坏、因GS间开路而损坏或者因主控板推动频率过高导致IGBT无法适应而损坏。
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