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MOSFET具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性佳等优点，特别适合用于 PC、手机、行动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源控制领域。
MOSFET 市场主要由英飞凌佔据，根据 IHS 统计指出，英飞凌市占高达 27%，排名第二为安森美，市占率 13%，第三则是瑞萨的 9%。而在价值含量高的高压 MOSFET 领域中，英飞凌更是以 36% 的市占率大幅领先所有竞者对手，意法半导体与东芝则以市占 19% 及 11% 分居二、三名。
IGBT 则是由双载子接面电晶体 (BJT) 和 MOSFET 组成的複合式半导体功率元件。兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通电阻两方面的优点。IGBT 驱动功率小，非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。至于在 IGBT 市场中，则是由英飞凌，三菱和富士电机处于领先位置，安森美则主攻在低压的消费电子产业，电压在 600V 以下。而中高压 1700V 以上领域，则是应用在高铁，汽车电子，智慧电网等，基本被英飞凌、ABB 和三菱垄断。
MOSFET 耐电压能力没有 IGBT 强。而 MOSFET 优势在于可以适用高频领域，MOSFET 工作频率可以适用在从几百 KHZ 到几十 MHZ 的射频产品。而 IGBT 到达 100KHZ 几乎是最佳工作极限。最后，若当电子元件需要进行高速开关动作，MOSFET 则有绝对的优势，主要在于 IGBT 因有整合 BJT，而 BJT 本身存在电荷存储时间问题，也就是在 OFF 时需耗费较长时间，导致无法进行高速开关动作。
从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右；
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