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答:IGBT的额定功率是3300V/50AIGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT只是一个高速的开关元件，民用级别的大约是1200V25A到40A左右的规格，其自身的耗散功率一般是几十瓦的样子。1500W至2000W是指其工作线圈可以产生的加热功率可以达到的瓦数。1500w~2000w是最高可以提供这么高的功率，但用时不见得就是这个功率，根据你的设定不同时功率会不同。设定最大是2000W可以达到2000W的功率。不过这个是指的输入功率。 实际输出功率应该在80-90%之间。 也就是输出1600-1800W的样子。
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