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雷达射频芯片通常由砷化镓（GaAs）或氮化镓（GaN）等化合物半导体材料制成。GaAs具有高电子迁移率和低噪声特性，适用于低功率应用。GaN具有更高的功率密度和更宽的带宽，适合高功率和高频率应用。此外，硅锗（SiGe）和氧化锌（ZnO）等材料也用于制造雷达射频芯片，提供不同的性能和成本折衷方案。
