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mosfet驱动芯片
ichaiyang
2024-05-10 5:50
30
如果这里不是推挽的话,估计IGBT用不了多久就炸了。如果感兴趣可以照此搭个电路一试便知!原因:因为IGBT结电容的原因,单位时间内驱动IGBT的上升沿与下降沿越陡越好(也叫压摆率),太平缓,工作在放大区时间太长,散耗在IGBT的功率越大,温度很快就飙上去了。会炸管。...
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请教用于IGBT驱动的推挽电路,三极管和MOSFET的选择?
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如果这里不是推挽的话,估计IGBT用不了多久就炸了。
如果感兴趣可以照此搭个电路一试便知!原因:因为IGBT结电容的原因,单位时间内驱动IGBT的上升沿与下降沿越陡越好(也叫压摆率),太平缓,工作在放大区时间太长,散耗在IGBT的功率越大,温度很快就飙上去了。会炸管。
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