中文English
mosfet驱动芯片ichaiyang 2024-05-10 5:49 19
MOSFET栅极前面加100Ω电阻是为了限制瞬态电流和高频噪声,避免损害MOSFET和其他电路。该电阻可以限制栅极电流,同时提高栅极的稳态电压。通常,栅极驱动IC的推荐电阻值为100Ω至1kΩ,具体取值要根据应用场景和IC手册来确定。如果电阻太小,可能会导致峰值电流过大、噪声干扰和温度过高,从而损害电子器件。...

为什么MOSFET栅极前面要加一个100Ω电阻?如何确定?

扫码或点击进入无线充模块店铺

MOSFET栅极前面加100Ω电阻是为了限制瞬态电流和高频噪声,避免损害MOSFET和其他电路。该电阻可以限制栅极电流,同时提高栅极的稳态电压。通常,栅极驱动IC的推荐电阻值为100Ω至1kΩ,具体取值要根据应用场景和IC手册来确定。如果电阻太小,可能会导致峰值电流过大、噪声干扰和温度过高,从而损害电子器件。

扫码或点击进入无线充模块店铺