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Sin是氮化硅，半导体Sin就是以氮化硅为基础要发出来的第三代半导体。
氮化硅 半导体
结构陶瓷包括耐磨损、高度度、耐热、耐热冲击、硬质、高刚性、低膨胀性和隔热等陶瓷材料；功能陶瓷包括具有声、光、电、磁、生物、化学、核等功能的陶瓷材料。， Si3N4的基本物理性能 在常压下，si3N4没有熔点，于1870℃左右直接分解氮化硅的热膨胀系数低，在陶瓷材料中除Si02(石英)外，Si3N4的热膨胀系数几乎是低的，为2．35×106／K，约为A1203的1／3它的导热系数大，为18．4W／(m·K)，同时具有高度度，因此其抗热震性十分优良，仅次于石英和微晶玻璃，热疲劳性能也很好室温电阻率为1．1x10“Q·cm，900C时为5．7×106Q·cm，介电常数为8．3，介电损耗为--0．1
1、氮化硅 半导体基本性质
氮化硅的陶瓷珠，能达到HRC80度，极限高温800度左右
属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上
1285摄式度时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙，600度时使过渡金属还原，放出氮氧化物，抗弯强度为147MPa
图 为涂层和基体组成的三层复合梁的三点弯曲试验示意图， 其挠度与载荷的关系在理论上为 拉伸试样示意图Fig tensiletest 型应力，并且三层复合梁中性轴的位置为 来确定应力强度因子的相对值 分别代表涂层和基体，下标 合梁中性轴距涂层表面距离利用试验得到的载荷—施力点位移曲线的线性段（弹性段），通过式（2）和 式（3）可求涂层的弹性模量
氮化硅是一种共价化合物，所以原子之间以较强的共价键相互结合，所以它具有很高的硬度及熔点
2、氮化硅 半导体材料性能
氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高、舒缓反应能力强以及产品尺寸度高等优良性能，由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化，并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀，但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀， 近年来，随着激光技术的推广，激光表面处理技术也作 为一种新的表面涂层处理技术对Si3N4 陶瓷轴承摩擦接触面 进行表面涂层处理，晶界相数量的影响：选择不同数量晶界相的陶瓷，进行腐蚀比较发现：反应初期，腐蚀速率基本吻合；随着腐蚀的进一步进行，腐蚀速率出现分歧，钝化层出现，且晶界相数量越多，氮化硅腐蚀越严重
半导体SIN是 氮化硅它有两种晶体， 即低温型α-氮化硅和高温型β-氮化硅，及一种无定型。当粉状的 Si3N4在1200℃加热超过4h，就形成 α-型，在1450℃加热2h，就形成β-型。α-型为六方晶系结晶；β-型为立方晶系结晶。纯者为无色，但通常所见为含微量杂质者，呈灰色、灰褐色或黑色。相对分子质量140.29。相对密度 3.44。本品不溶于水、酸、碱。
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