扫码或点击进入无线充模块店铺
钨因纯度高(大于99.95%)，密度大(19.35g/cm3)，蒸气压低，蒸发速度小，耐高温性能好等特点，常用来生产厚度超小的氧化钨薄膜。
就目前火热的半导体芯片来说，新型氧化钨薄膜能很好的作为它的扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等，进而能显著升高芯片产品的综合质量。
钨是一种具有高传导性的金属元素，在半导体制造中，常被用作金属层间的通孔（Via）和垂直接触的接触孔（Contact）的填充。
钨靶材因有高熔点、强抗高温能力、大电子发射系数、良好化学稳定性和优异散热性能等特点，而成为了芯片内部扩散阻挡层和粘结层的优选材料。此外，集成电路的主流封装材料也大多是使用钨材——钨铜合金。
钨铜合金除了有优良的电化学性能和散热性能外，还有与硅片和砷化镓相匹配的热膨胀系数等特点，所以能使做的电子封装材料的各方面性能更好。
芯片的硬度和导电性柔韧性！
扫码或点击进入无线充模块店铺