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芯片产业发展初期,除了硅元素外,芯片制造中仅使用了硼、磷、砷、锑、氢、氩、氯、氟、氧、氮、铝、金、钾等少数元素。
其中,硼、磷、砷和锑被用来掺杂硅;氧和氮用于生长或沉积绝缘体;铝用于互连;氢、氩、氯和氟用于等离子刻蚀或者薄膜沉积;金用于硅片背面;钾以氢氧化钾溶液的形式用于各向异性腐蚀硅。
芯片是由半导体制作而成。现在大多数芯片都是硅基,所以一定有元素硅。然后进行掺杂,行成P型和N型,这就需要元素硼和磷。之后的光刻等工艺中确实会需要用到有机高分子。
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