扫码或点击进入无线充模块店铺
8205A是性能最高的沟道N-chmosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅电荷。符合RoHS和产品要求，功能可靠。
8205A属性 8205A参数值
8205A 场效应管(MOSFET)
8205A类型 双N沟道(共漏)
漏源电压(Vdss) :20V
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd) :2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) :22mΩ，4.5V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id) :1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 6.24nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds) :522.3pF@8V
反向传输电容(Crss@Vds) :74.69pF@8V
工作温度(最小值): -55℃@(Tj)
工作温度(最大值): +150℃@(Tj)
8205A的全称是UT8205A，是N沟道增强型功率MOSFET管。最大通电电流也是6A, 耐压20V, 导通电阻28毫欧.RDS(ON) 28mR。
扫码或点击进入无线充模块店铺