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5G射频芯片纳米是主流的90nm或65nm工艺。高通第三代5G基带芯片X60是全球首个5纳米制程基带芯片,下载速度可达7.5Gbps,上行速度可达3Gbps,并支持Voice-Over-NR 5G语音技术。
这种芯片支持全部的5G关键频段,射频芯片的晶体管数和模拟/射频的面积可以实现减小。
相对于之前的14纳米射频相比，由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将效率提升了35%，在面积上射频芯片减少了35%。
