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igbt可以换功放管，igbt导通后像一个二极管一样直接压降0.4～0.6v，功耗固定，因为功耗固定在大电流高电压下igbt发热比场效应管小的多，除了驱动电压一个12v左右一个18v左右以外，一般是可以代换。
可以的，
是MOSFET和双极功率晶体管的复合体,两者的输出阻抗是不同的。另一方面,好像IGBT需要负电压才能可靠关断,因此,简单的代换是不可取的。
