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igbt是绝缘栅双极型晶体管元件。
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、大电流、高速开关的功率半导体器件。它结合了MOSFET和BJT的优点，具有低导通电阻、高输入阻抗、高速开关、耐高压、耐高温等特点。IGBT可用于交流电动机驱动、UPS电源、电动汽车、太阳能逆变器等高功率电子设备中。IGBT的应用使得高效能、高速度、高可靠性、节省能源的电子设备得以实现，并在现代工业生产中发挥着重要作用。
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