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N沟MOS晶体管是指金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。
基本信息
中文名 N沟MOS晶体管
别名 MOS晶体管
基本信息
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。
N 沟道增强型 MOS 管的沟道是由源极、漏极和栅极组成的，其中源极和漏极之间的区域被称为沟道。在 N 沟道增强型 MOS 管中，沟道是由源极和漏极之间的区域构成的，而栅极则位于沟道上方，用于控制沟道的导通和截止。通过栅极的控制，可以调节沟道的电流，从而实现对电路的控制。
N沟道增强型MOS是一种常见的场效应晶体管，其沟道是由N型材料构成的。在N沟道增强型MOS中，沟道被设计成非常薄，因此在施加正向电压时，电子会从源极流向漏极，形成一个导电通道，从而增强了器件的电流。此外，通过控制栅极电压，可以有效地控制沟道的宽度和电流的大小，从而实现对器件的控制。N沟道增强型MOS具有低功耗、高速度、高电流和低噪声等优点，在集成电路设计中得到广泛应用。
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