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cmos一般为20-65纳米
cmos的集成度由单芯片几十个晶体管发展到单芯片10亿以上个晶体管，器件的尺寸量级缩小到nm级（目前量产的约为20纳米)。富士通进一步改进制造工艺，为客户提供世界一流的 65纳米cmos技术。这种极具竞争力的65纳米技术具有最大化性能和最小化功耗的选项。
