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FDS4435，
采用SOIC封装方式。
晶体管极性:P沟道漏极电流,
Id 最大值:-8.8A电压,
Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压 @ Rds测量:-10V、
电压, Vgs 最高:-25V
功耗:2.5W其
他参数编辑工作
温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:SOIC
针脚数:8SMD
标号:FDS4435
功率, Pd:2.5W
