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芯片热压焊接工艺按内引线压焊后的形状不同分为两种：
球焊(丁头焊)和针脚焊。两种焊接都需要分别对焊接芯片的金属框架、空心劈刀进行加热（前者温度为 350～400℃,后者为150～250℃），并在劈刀上加适当的压力。
首先，将穿过空心劈刀从下方伸出的金丝段用氢氧焰或高压切割形成圆球，此球在劈刀下被压在芯片上的铝焊区焊接，利用此法进行焊接时，焊接面积较大，引线形变适度而且均匀，是较为理想的一种焊接形式。
随后将劈刀抬起，把金丝拉到另一端（即在引线框架上对应于要相联接的焊区），向下加压进行焊接，所形成的焊点称为针脚焊。
焊接芯片注意事项：
1、对于引线是镀金银处理的集成电路，只需用酒精擦拭引线即可。
2、对于事先将各引线短路的CMOS电路，焊接之前不能剪掉短路线，应在焊接之后剪掉。
3、工作人员应佩就防静电手环在防静电工作台上进行焊接操作，工作台应干净整洁。
4、手持集成电路时，应持住集成电路的外封装，不能接触到引线。
5、焊接时，应选用20W的内热式电烙铁，而且电烙铁必须可靠接地。
6、焊接时，每个引线的焊接时间不能超过4s，连续焊接时间不能超过10s。
7、要使用低熔点的钎剂，一般钎剂熔点不应超过150℃。
8、对于MOS管，安装时应先S极，再G极最后D极的顺序进行焊接。
9、安装散热片时应先用酒精擦拭安装面，之后涂上一层硅胶，放平整之后安装紧固螺钉。
10、直接将集成电路焊接到电路板上时，爆接顺序为：地端→输出端→电源端→输入端的顺序。
扩展资料
芯片焊接工艺可分为两类：
①低熔点合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。
②粘合法:用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。
集成电路塑料封装中,也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外，烧结时（即芯片粘完银浆后烘焙），气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。
低温银浆多在空气中烧结，温度为150～250℃；高温银浆采用氮气保护，烧结温度为380～400℃。
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