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第一个28纳米工艺的CMOS技术方案是2008年由台积电公开发表的。CMOS技术是互补型金属-氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的简称,是一种在集成电路制造过程中广泛使用的半导体技术。28纳米工艺是指在制造集成电路时使用的芯片工艺制造工艺,意味着芯片制造工艺的最小物理尺寸为28纳米。由于28纳米工艺...

28纳米工艺是什么时候出现的?

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第一个28纳米工艺的CMOS技术方案是2008年由台积电公开发表的。CMOS技术是互补型金属-氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的简称,是一种在集成电路制造过程中广泛使用的半导体技术。

28纳米工艺是指在制造集成电路时使用的芯片工艺制造工艺,意味着芯片制造工艺的最小物理尺寸为28纳米。由于28纳米工艺具有更高的集成度和更低的功耗,可以显著提高芯片的性能和效率,因此被广泛应用于各种应用领域,如电子设备、通讯系统、计算机处理器、人工智能芯片等等。如今,28纳米工艺已经成为制造高性能、高可靠性芯片的重要基础技术之一。

时光飞逝,自2012年AMD和NVIDIA首次纷纷发布了他们基于台积电28纳米制造工艺的新一代产品。

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