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输入接口部分：
输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，Inverter不工作，而ENB=3V时，Inverter处于正常工作状态；而DIM电压由主板提供，其变化范围在0～5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，Inverter向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，Inverter输出的电流就越大。
电压启动回路：
ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
PWM控制器：
有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换：
由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
LC振荡及输出回路：
保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。
输出电压反馈：
当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定Inventer电压输出的作用。
其实你可以想象一下了。都有哪些电子元件需要正负极，电阻，电感一般不需要。二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的，三极管的话是不会导通的。稳压管如果正负接反的话就会损坏了，但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护。在就是电容了，电容里有正负之分的就是电解电容了，如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂。
主要元件二极管。开关管振荡变压器。取样。调宽管。还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理。
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关 断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般 均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以 上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件 。
大件：场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。
功率大小和精度，关系着电路的复杂程度。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
逆变器的工作原理是通过控制电路来控制整个系统的运行，逆变电路完成直流电转换为交流电的功能，滤波电路用于滤除不需要的信号。
逆变电路的工作还可以细化为：首先，振荡电路将直流电转换为交流电；其次，线圈升压将不规则交流电变为方波交流电；最后，整流使得交流电经由方波变为正弦波交流电。
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