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充电宝电源芯片一般用28nm电源芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。所谓的XX nm其实指的是,CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时,晶体管所占面积将减小一...

充电宝用几纳米芯片?

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 充电宝电源芯片一般用28nm

电源芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。


所谓的XX nm其实指的是,CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时,晶体管所占面积将减小一半;在芯片晶体管集成度相当的情况下,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小,成本也越低。

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