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区别是同等波长可以分不同制程。
光刻机波长的划分大致为五代，目前的euv和duv分别为第五代和第四代光源波长，其波长分别是13.5纳米的极紫外光光源和192纳米的深紫外光光源。第五代13.5纳米光源目前可以制作芯片的制程为22纳米以下现在的主流为4纳米、5纳米、7纳米等制程一直到22纳米。而192纳米光源的制程也是比较多的。总体来说波长是固定的，而制程则是通过技术手段把波长“压缩”以提高制程。
波长越小，制程工艺越高，但是同一个光源，可以釆用其他的方式改变波长。比如径过水的折射，波长就会变小。
光刻机波长指的是使用光源的波长，例如EUV极紫外光刻机波长为10-14nm。
但是euv光刻机却能光刻7nm，5nm乃至2nm的晶圆，这就是制程。
光刻制程在利用一些技术手段是可以小于光源波长的
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