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EUVEUV光源样机可以生产7纳米的芯片。
原因是，EUVEUV光源是一种新型光刻技术，其波长比传统光刻技术更短，可以更好地实现高精度和高密度的微细加工。
同时，该技术还具有更好的照射稳定性和更低的缺陷率，可以在芯片制造中发挥更大的作用。
因此，该技术可以用于生产更小尺寸的芯片，预计可实现7纳米的制造标准。
此外，随着技术的不断进步和创新，未来可能会出现更小尺寸的芯片制造标准，并且EUVEUV光源技术也会不断升级和发展，为芯片制造带来更大的突破和进步。
euv光源样机可以生产7纳米以下的芯片。
因为该光源采用极紫外光技术，可以在短波长下进行制作，且相比传统光刻技术，极紫外光技术的光源具有更高的能量和更小的波长，能够更精确地制作芯片。
同时，该光源的使用需要严格的环境控制和专业人员操作，因此只能在实验室等特定条件下进行生产。
此外，euv光源样机生产的芯片不仅技术含量高，且生产成本也十分昂贵，目前只有少数专业厂商才具备生产能力。
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