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3纳米芯片光刻是一种制造芯片的工艺技术，其原理是在光刻胶层上把紫外线光源通过掩模芯片照射，使得胶层分解并沉积到掩模芯片下方的硅片上，最终形成芯片上的电路图案。
在3纳米芯片光刻中，由于掩模芯片的精度要求极高，光源的波长也要更小，这样才能够成像更小的电路图案。光刻技术是芯片制造的关键步骤之一，对芯片的性能和成本都有很大影响。
