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IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，该技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。
按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。
3纳米指的是芯片的工艺制程，并不代表芯片有多大。
芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母。前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。
后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。
3nm相当于4倍原子大小，3纳米=0.003微米。比单个细菌的长度还要小，nm是长度单位。
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