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28nm芯片需要使用高分辨率、高精度的光刻胶。光刻胶是制造芯片的关键材料,它在光刻过程中起到光刻模板和芯片表面之间的传递媒介作用。28nm芯片具有较高的集成度和密度,要求光刻胶具备较高的分辨率和精度,能够实现更小的图形尺寸和更高的图案精度。常见的28nm芯片光刻胶有正胶和负胶两种类型,可以根据具体需求选择。
正胶具有较高的分辨率和精度,适用于高密度、高性能的芯片制造;而负胶则适用于较大尺寸的图案制作。选择适合的光刻胶对于保证28nm芯片制造的质量和性能至关重要。
ArF光刻胶可凭借双/多重曝光技术,增加光刻胶使用次数,理论上是可用于7~28nm制程工艺的芯片中。
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