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2纳米芯片虽然没有流片但在技术上和7纳米芯片采用了不同技术。
2纳米芯片和7纳米芯片表面上就是单位面积上晶体管数量的差别，但实际上是没在技术不同。更为先进的GAA架构会替代现有的FinFET架构。
目前全球能生产3nm的厂家为三星和台积电。相比台积电所采用的3nm FinFET架构，三星3纳米芯片在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。
芯片工艺达到5纳米节点之后，随着栅极长度缩短，短沟道效应越发明显，FinFET结构已经很难满足晶体管所需的电流驱动和静电控制能力，更多电流通过器件底部无接触的部分泄露，漏电现象急剧恶化。基于此GAA架构实现了栅极对通道之间的四面环绕，被广泛认为是FinFET的继任者。而台积电未采用该技术是为了确保能量产3纳米芯片而采取的措施，该技术预计将进入台积电2纳米工艺的计划中。
区别就是：2纳米工艺相对于7纳米工艺，可以带来更高的晶体管密度、更强的性能以及更低的功耗。
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