扫码或点击进入无线充模块店铺
传统的硅基芯片的极限是1纳米
，而碳基芯片可以做到1纳米以内，这对性能的提升有巨大帮助；理论上，同样制程的碳基芯片的运行速度是传统硅基芯片的10倍，即用20纳米制程制作的碳基芯片性能相当于2纳米制程制作的硅基芯片，并且碳基芯片相比功耗也降低了十分之一。
个人认为是1纳米。
硅原子的尺寸是0.234纳米，1纳米只能排列5个硅原子，而考虑到掺杂问题，良品率已经非常难以保证，成本会非常高。
1纳米之后，只能走其它的道路才能继续发展芯片产业。
1nm
按照科学家的预计，硅基芯片的物理极限在1nm。而按照晶圆厂们的工艺演进，3nm后的工艺是2nm，再之后的工艺是1.4nm，再之后可能就没办法演进了，因为硅基材料所限，无法再往1nm以下推进了
扫码或点击进入无线充模块店铺