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这就是蚀刻机和光刻机之间的区别了
最简单的区别就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀，这就是这光刻和蚀刻的难度。
光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶，接下来通过光线透过掩膜照射到硅圆表面，因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。
蚀刻则是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。
区别在于蚀刻与光刻，蚀刻是需要蚀刻剂，蚀刻剂就一种腐蚀剂，光刻就是用激光烧刻。
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