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详细得来解释的话，电流从源极（Source）流入漏级（Drain），栅极（Gate）相当于闸门，两端源极和漏级的通断就是由栅极来控制的。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），就是X nm芯片工艺中的数值。
这个x nm为何如此关键？说是芯片，其实芯片本身就是一块集成电路，设备中的数据处理就是由这些芯片来完成。芯片强不强主要呈现在处理数据的能力和稳定性。nm是个长度单位，长度的大小自然与处理能力和稳定性没有直接影响。但是可以完成同等功能的东西，集成的程度越小，是不是优势越大呢？
看到这里，大家对芯片工艺是不是有大概的认识了呢？不难知道，从技术层面的角度来说，5nm的芯片，在10nm看来是难以望其项背的。
一般手机电脑会给出参数范围，或者在网上搜索，纳米nm是芯片效率的重要体现。同样体积下纳米越想证明晶体管数量越多。运行效率越快，功耗越低。通过手机平台或者客户询问进行网上搜索，都能给出相应结果。与相应客服联系，可以关注手机厂商的发布公告。
手机芯片。14纳米，10纳米，7纳米和5纳米，数字越高端就代表纳米越强，比如骁龙的8开头810.820.835.845.855.865.888就代表高端
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