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世界光刻机最小做到了3nm。
目前全球能做到3nm工艺制程的公司有两家，一个是台积电另一个是三星。
台积电基于量产上的考量，3纳米仍然采用鳍式场效电晶体（FinFET）架构，但在材料创新上有所突破，在3纳米制程导入高迁移率通道（HMC）电晶体，将锗（Ge）整合到电晶体的鳍片（fin）当中，导线也采用新一代的钴及钌等材料来持续挑战技术限制。
三星采用全环绕栅极架构（Gate-All-Around FET，GAA）的3纳米制程技术已正式流片，性能上优于台积电的鳍式场效应架构（FinFET）。
世界光刻机目前根据不同工艺可以分别做到 14 nm 和 5nm以下。
目前最高端的EUⅤ光刻机波长13.5nm，曝光精度14nm，釆用平面工艺，也就是14nm，釆用finfet工艺可达5nm以下。
荷兰ASML公司是全球最大的光刻机制造商，也是全球唯一可以提供EUV光刻机的厂商，在全球高端光刻机市场处于垄断地位。
目前最小做到5nm，或许有更小的在实验室，不过没面世就不算
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