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国产光刻胶在制备技术和质量上已经得到了很大的提升，可以做到的最小线宽已经达到了20纳米左右。而且，国产光刻胶的生产工艺和技术水平在不断地提高，未来有望进一步降低线宽。同时，实际的光刻分辨率还受到许多因素的影响，如光源波长、光刻机的分辨率和精度、曝光时间和光刻胶的成分等，因此要做到更小的纳米级别的线宽，还需要在各方面继续加强研发和改进。
