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当硅基芯片突破1nm之后,量子隧穿效应将使得“电子失控”,芯片失效确切的说就是5nm甚至7nm以下,就已经存在量子隧穿效应。
这种情况下,替换芯片的硅基底,也许是芯片进一步发展的可行出路之一。
进一步缩小晶体管尺寸是提高计算机算力和打破技术瓶颈的重要突破口。晶体管越小,芯片上的容量就越大,处理器的速度就越快,计算机效率也就越高。
需要更换材料和光刻设备。
芯片制程以目前的硅基芯片和紫外光光刻机来说是无法达到1nm制程的，因为硅原子是1/4nm，而晶体管结构使晶体管的尺寸无法小于1nm。所以想要小于1nm就必须更换其他比硅原子小的材料，同时光刻设备也需要做出修改。但目前还无法找到可以替换的材料，实验室项目有碳基芯片，但其结构要大于1nm
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