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4nm和5nm和6nm没有本质区别。
4nm和5nm和6nm都是基于FinFET鳍式场效晶体管的器件工艺流程，所以没有本质区别。但在光刻技术上和芯片设计上有所区别，从7nm到5nm是一个比较大的突破，就比如英特尔到目前都没法从10nm突破到7nm一样，这个技术困难还挺明显的。而作为全球两大代工厂三星和台积电，在4nm以下制程就有本质区别了，三星放弃了FinFET结构选择了GAA结构。
