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受硅原子物理宽度排列限制。芯片的工艺制程无法趋近于一纳米是有原因的,以目前的硅晶圆来说,一纳米大约是四个硅原子的宽度,以目前台积电和三星最先进的GAA架构来说,整个硅晶体管栅极环绕排列后的物理极限就是一纳米,再加上周围空隙其最小宽度肯定超过一纳米。所以硅基芯片受硅原子物理宽度排列限制不会低于一纳米。...

芯片为什么不能低于一纳米?

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受硅原子物理宽度排列限制。

芯片的工艺制程无法趋近于一纳米是有原因的,以目前的硅晶圆来说,一纳米大约是四个硅原子的宽度,以目前台积电和三星最先进的GAA架构来说,整个硅晶体管栅极环绕排列后的物理极限就是一纳米,再加上周围空隙其最小宽度肯定超过一纳米。所以硅基芯片受硅原子物理宽度排列限制不会低于一纳米。

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