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10000nm(1微米=1000纳米)
芯片制程:1971年10微米;(英特尔推出4004处理器)
1974年6微米;
1978年3微米(1978年美国第一台g线光刻机DSW4800)
1982年1.5微米;
1985年1微米(1985年中国第一台g线光刻机)
1987年800纳米。
1990年600纳米;
1993年350纳米;
1996年250纳米;
1999年180纳米;
2001年130纳米;
2003年90纳米;(asml与台积电联合制造的样机沉浸式光刻机TAT:1150i)
2005年65纳米;
2007年45纳米;(asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT:1900i)
2009年32纳米;
2012年22纳米;
2014年14纳米;(2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用)
2016年10纳米;
2018年7纳米;
2020年5纳米。
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