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10000nm（1微米=1000纳米）
芯片制程：1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）
1974年6微米；
1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）
1982年1.5微米；
1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）
1987年800纳米。
1990年600纳米；
1993年350纳米；
1996年250纳米；
1999年180纳米；
2001年130纳米；
2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的样机沉浸式光刻机TAT：1150i）
2005年65纳米；
2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）
2009年32纳米；
2012年22纳米；
2014年14纳米；（2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）
2016年10纳米；
2018年7纳米；
2020年5纳米。
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