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当前存储芯片的加工工艺已经进入到了纳米级别,最常见的硬盘和闪存芯片加工工艺已经能够达到20纳米以下,甚至一些高端存储芯片的加工工艺已经达到了10纳米以下。
具体来说,目前主流的存储芯片工艺有以下几种:
1. SLC闪存芯片:最新的SLC闪存芯片加工工艺已经达到了15纳米。
2. MLC(多层单元)闪存芯片:MLC闪存芯片加工工艺普遍在19纳米到14纳米之间。
3. TLC(三层单元)闪存芯片:TLC闪存芯片加工工艺普遍在15纳米到10纳米之间。
4. QLC(四层单元)闪存芯片:QLC闪存芯片加工工艺大多在15纳米到9纳米之间。
5. 垂直磁记录硬盘:最新的垂直磁记录硬盘的加工工艺已经达到了14纳米。
需要注意的是,存储芯片的加工工艺不断向着更为细小的纳米级别发展,以提升存储容量和读写速度。因此,未来的存储芯片加工工艺有可能会进一步提高。
目前市面上的一般是28纳米以上的
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