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硅原子
在第三代半导体材料被大规模应用之前，现在市场上主流的芯片，仍是基于硅这个材料研发制造的。
硅，在元素周期表，它的序号是14，硅原子的直径大约为0.22nm.
硅原子
我们都知道，芯片的内部是由数以亿计的晶体管构成的。通过光刻机，将这些数以亿计的晶体管光刻在硅晶圆上，然后通过封装测试，最后才形成一个完整的芯片。
在同一个硅晶圆上，晶体管的数量越多，芯片的功能就越先进。只是在同一个硅晶圆上，晶体管的数量越多，晶体管的体积就会被要求做得越小。
硅晶圆
但晶体管做得再小，总不可能比晶圆的硅原子还小吧。在理论上，这显然是不可能的。
硅原子多大？
芯片哥刚刚列举出了它的数值。硅原子直径大约为0.22纳米。
也就是说，芯片的制造工艺是不可能超过0.22纳米。这个也是它的一个物理极限。
写到最后，小伙伴们是不是很清楚了，因为两个因素
一个是制造芯片需要的光刻机设备。光刻机采用光的频率，它是有物理极限的。光的频率是不可能被要求做到无限高的。
另一个是制造芯片需要的硅材料。芯片内部的晶体管，做得再小，是不可能比硅原子还小的，它是有物理极限的。
因此芯片的制造工艺它是有物理极限的。不可能像之前的那样，由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去的，它肯定会停留在某个数值上的，直到无法被我们突破为止。
说道这，肯定有小伙伴问芯片哥，难道芯片的工艺，未来就没有发展了吗？就没有了新的突破了吗？就一直停留在现在的这个5纳米、3纳米水平吗？
这是不对滴。
想要继续在芯片的制造工艺有所突破，无非是改进类似于光刻机这样的设备性能，亦或是在芯片的材料方面去突破。
现在知道为什么我们国家在大力提倡，发展第三代半导体技术的原因了吧。就是想在芯片方面，突破国外的卡脖子封锁，实现我们中国在技术上占据更多的全球话语权。
硅原子的直径约是10负八cm，
1纳米与10个硅原子连起来的长度相近。
硅原子的直径约是10^(-8)cm,也就是10^(-10)米
1纳米=10^(-9)米
所以1纳米与10个硅原子连起来的长度相近。
硅是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。原子序数14，相对原子质量28.0855，直径是0.117纳米。
硅，在元素周期表，它的序号是14，硅原子的直径大约为0.22nm.
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